AMD高带宽显存技术：较GDDR5性能提升明显

更重要的是HBM技术给AMD显卡提供了一条技术领先的通道，未来一段时间内AMD面对老对手NVIDIA无疑将获得更多市场的主动权。

　　如果说E3大展上谁的展台最大，可能你会依照直观感受说是任天堂。但如果说谁的硬件含金量高，我想没有哪家真正敌得过AMD。在E3 2015大展期间，AMD举办发布会先后爆出猛料，不仅带来了意料之中的R9/R7 300主流中高端显卡，更发布了旗舰的Fury X，一举实现了从中端、高端到旗舰显卡的全面覆盖。更重要的是HBM技术给AMD显卡提供了一条技术领先的通道，未来一段时间内AMD面对老对手NVIDIA无疑将获得更多市场的主动权。

　　GDDR5面临淘汰 HBM对AMD很重要

　　实际上单纯从性能角度来说Fury X和Fiji核心意义并不算是空前绝后的，频率提高和晶体管集成数量增加、扩大核心面积所带来的性能提升实际上在GPU的进化历程上很平常，Fiji只是恰好成为当下的翘楚而已。而我们之所以说Fury X和Fury显卡具有十分重要的划时代的意义，原因其实还是来自于HBM技术的加入。

　　说起来目前显卡主流的GDDR5已经经历了若干年头，最先也是由AMD牵头研发，但据称早在7年以前AMD就已经预知到GDDR5终将走向性能功耗比的瓶颈阶段。而从近年来的性能曲线来看GDDR5似乎逼近了将遭淘汰的尽头。此前一直有消息称，AMD与NVIDIA为了争夺高带宽显存的开发打的不可开交，最终我们看到的结果是AMD在与著名存储颗粒及内存生产厂商SK Hynix通过力配合率先攻克难关，抢下了NVIDIA做梦都想要的市场技术先机。

　　HBM（High Bandwidth Memery高带宽显存）实际上是现有GDDR5的完美替代，如今GDDR5的性能功耗曲线已经呈现出非线性曲线，通过简单的提升频率增加带宽的方法已经不足以支撑未来的显卡性能的发展，所以打破常规开发出更有效的解决办法才是一劳永逸的变革。AMD与SK Hynix通过更合理的设计理念、更先进的工艺、更高的集成度成功的解决了原有GDDR5在高端显卡中带宽不足、功耗大、占用PCB面积大等诸多负面影响。

　　传统显存颗粒与GPU之间交互完全依靠PCB的走线设计，在信息交互愈发高速的今天已经急需进一步提高，那么能够实现显存颗粒与GPU之间快速交互的中介层成为绝佳的解决方案。通过中介层的运用，显存颗粒得以进一步拉近与GPU之间的交互，极大地提升每瓦带宽，性能功耗比提升显著。

　　而通过穿透硅通孔（TSV）使得DRAM芯片彼此连接，并允许DRAM芯片实现纵向堆叠，另外TSV也被用于连接SoC/GPU和中介层，这样不但让DRAM芯片带宽成倍增加，更保证了各个系统之间快速信号传递。

　　通过对比可以直观的发现，HBM面对GDDR5几乎碾压般的优势，仅仅500MHz的显存颗粒通过中介层和TSV的引入便能够取得1024bit的高带宽，这意味着以目前的颗粒集成封装技术，显卡带宽提升若干倍完全不成问题。并且相比较原有的提升显存频率的方式，HBM将带来极为节省成本的性能提升，可以说是HBM让AMD抢下了通往下一代高性能显卡的先机。无法想象若是NVIDIA率先拿下推出新旗舰卡，AMD将面临怎样被动的局面。