三星GALAXY S6 edge全方位评测：堪称安卓最强旗舰机

无论是产品的设计还是硬件的水准，乃至系统的优化，拍照的效果等等方面，S6 edge都有资格成为这个世界上最好的智能手机之一。

　　三星GALAXY S6 edge评测：硬件

　　三星在S6 edge上做出的一件让人津津乐道的事情是弃用了高通处理器，这在几个月前的Note 4上还是一个“不可能完成的任务”。但随着三星Exynos 7420的到来，三星手机去高通化有了足够的资本。

　　Exynos 7420创造了三星移动芯片上的多个第一，首先它是三星首个64位芯片，Exynos 7420基于ARM A57+A53的big.LITTLE架构；其次Exynos 7420是移动芯片领域首个采用14nm FinFET工艺的产品，迄今为止只有三星和英特尔在量产FinFET工艺的14nm芯片；Exynos 7420集成了最高内存带宽可达25.6GB/s的Mali-T760 MP8图形处理器，这也是目前为止最强的移动图形处理器芯片。

　　不过受制于专利以及全球推广的问题，三星在SoC的基带方面还是用了高通的解决方案，这一点和之前媒体猜测的集成基带或者是外挂Intel基带有出入。而用于测试的这款型号为G9250支持双4G网络，这也是拜高通的基带所赐。

　　不过我拿到的这款测试机很明显被官方限制了测试软件的安装，系统会自动检测软件签名，我测试了大部分的跑分软件，都无法安装，对于Exynos 7420的解析只能待正式版到来再议了。

　　当然，S6 edge硬件部分的亮点不止于此，用于内存部分的LPDDR4 RAM和UFS2.0存储技术也成为这一代S系列的亮点。

　　图片来自互联网

　　LPDDR 4已经确认会在今年成为标配，相比之前被广泛使用的LPDDR 3内存，DDR4在带宽（25.6GB/s）、主频（1.6GHz）和电压方面有明显的优势。更大的带宽意味着内存数据交换的速度会加快，这将帮助S6 edge获得更快的任务加载速度。

　　图片来自互联网

　　UFS 2.0也是来自三星自家的产品。相比于目前市面上被广泛使用的eMMC 5.1，UFS 2.0被看作是下一代的存储产品，其不仅速度更快，而且还支持读写数据同步进行，满足了移动设备对数据交换的更高要求。从理论数值来看，UFS2.0的连续读取速度是350MB/s，连续写入速度达到150MB/s，即便是现在最顶尖的eMMC 5.1在这两项上也和UFS 2.0存在不小的差距。

　　我内存测试软件简单测试了一下三星S6 edge（UFS 2.0）和HTC One M8（eMMC 4.5）两款手机的内存处理速度，从数据中可以明显看到，UFS 2.0在读写速度上相比eMMC 4.5有着相当明显的优势，这无疑将对手机存储性能有着质的提升。