三星绘DRAM蓝图：15nm是工艺制程物理极限

　　三星电子为了巩固存储器霸业，制定DRAM发展蓝图，擘划制程微缩进度。业界预估，15纳米可能是DRAM制程微缩的极限，担忧三星遭中国业者追上。

　　韩媒etnews 18日报导，业界消息称，三星去年开始量产18纳米DRAM，目前正研发17纳米DRAM，预定今年底完成开发、明年量产。与此同时，三星也成立16纳米DRAM开发小组，目标最快2020年量产。相关人士透露，微缩难度高，2020年量产时间可能延后。

　　三星从20纳米制程（28→25→20），转进10纳米制程（18→17），缩小线宽（Line－width）的速度明显放缓。三星尚未成立15纳米制程以下的研发团队，因为由此开始，电流外泄和电容器干扰和情况将更为明显，需要开发新的材质。

　　三星设备解决方案部门的半导体实验室人员Jung Eun－seung说，为了继续缩小线宽，必须开发与当前不同的新材质，并提高制程稳定性，以便进入量产。

　　业界人士估计，15纳米或许是制程微缩的极限，未来三星可能难以透过制程微缩拉大与对手差距，并担忧中国业者急起直追，赶上三星。