高通旗舰处理器宣布：骁龙835 10nm工艺加持

　　今天，高通官方宣布，将使用三星的10nm FinFET打造自家的新旗舰处理器：骁龙835。

　　高通表示，与上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。

　　因此，通过10nm工艺加持，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，在一定程度上能够方便手机厂商节省机身内部空间，获得更合理的主板布局方式。

　　目前，骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。

　　此外，高通宣布骁龙820/21处理器已经拥有超过200款设计发布或正在开发中，骁龙835正是其后续产品。

　　但遗憾的是，高通目前并没有公布骁龙835的具体规格。