三星成功研发DDR4 4GBRAM速度将是DDR3的两倍

三星宣布已经成功开发 8GB LPDDR4 移动 DRAM 芯片，由 20nm 工艺制作，三星表示该 DRAM 可以在降低功耗的同时提供高标准的性能表现。

　　30日，三星宣布已经成功开发8GB LPDDR4移动DRAM芯片，由20nm工艺制作，三星表示该DRAM可以在降低功耗的同时提供高标准的性能表现。

　　据了解，4个8Gb芯片将进行结合，最终形成4GB LPDDR4，即总容量为4GB的DRAM产品。今年下半年，Galaxy Note 3已经开始启用3GB RAM，明年Galaxy S5或者Note 4有望采用4GB RAM。

　　据悉，8Gb LPDDR4移动DRAM将可支持更快的应用、更高分辨率的屏幕、更长时间的续航，以及手机的更先进功能。

　　在新LVSTLI/O界面的帮助下，数据的传输速率将达到3200Mbps，这个速度是当前使用的20nm LPDDR3 DRAM的2倍，1.1v前提下性能提升50%，仅消耗了40%的能量。

下面我们来回顾下三星这些年来所提供的内存：

　　2009:256MB(50 nanometer 1Gb MDDR,400Mbps)

　　2010:512MB(40 nano 2Gb MDDR,400Mbps)

　　2011:1GB/2GB(30 nano 4Gb LPDDR2,1066Mbps)

　　2012年8月:2GB(30 nano 4Gb LPDDR3,1600Mbps)

　　2013年4月:2GB(20 nano 4Gb LPDDR3,2133Mbps)

　　2013年7月:3GB(20 nano 4Gb LPDDR3,2133Mbps)

　　2013年11月:3GB(20 nanometer 6Gb LPDDR3,2133Mbps)

　　H1 2014:4GB(20 nano 8Gb LPDDR4,3200Mbps)